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1、環(huán)境溫濕度

一般材料的電阻值會(huì)隨環(huán)境溫度及濕度的升高而減小。所以相比較而言，表面電阻(率)對(duì)環(huán)境濕度比較敏感，而體電阻(率)則對(duì)溫度較為敏感。濕度增加，表面泄漏增大，體電導(dǎo)電流也會(huì)增加。溫度升高，載流子的運(yùn)動(dòng)速率加快，介質(zhì)材料的吸收電流和電導(dǎo)電流會(huì)相應(yīng)增加，據(jù)有關(guān)資料報(bào)道，一般介質(zhì)在70C時(shí)的電阻值僅有20C時(shí)的10％。因此，測(cè)量材料的電阻時(shí)，必須指明試樣與環(huán)境達(dá)到平衡的溫濕度。

2、測(cè)試電壓及電場(chǎng)強(qiáng)度

介質(zhì)材料的電阻(率)值一般不能在很寬的電壓范圍內(nèi)保持不變，即歐姆定律對(duì)此并不適用。常溫條件下，在較低的電壓范圍內(nèi)，電導(dǎo)電流隨外加電壓的增加而線性增加，材料的電阻值保持不變。超過(guò)一定電壓后，由于離子化運(yùn)動(dòng)加劇，電導(dǎo)電流的增加遠(yuǎn)比測(cè)試電壓增加的快，材料呈現(xiàn)的電阻值迅速降低。由此可見(jiàn)，外加測(cè)試電壓越高，材料的電阻值越低，以致在不同電壓下測(cè)試得到的材料電阻值可能有較大的差別。

值得注意的是，導(dǎo)致材料電阻值變化的決定因素是測(cè)試時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度，而不是測(cè)試電壓。對(duì)相同的測(cè)試電壓，若測(cè)試電極之間的距離不同，對(duì)材料電阻率的測(cè)試結(jié)果也將不同，正負(fù)電極之間的距離越小，測(cè)試值也越小。

3、測(cè)試時(shí)間

用一定的直流電壓對(duì)被測(cè)材料加壓時(shí)，被測(cè)材料上的電流不是瞬時(shí)達(dá)到穩(wěn)定值的，而是有一衰減過(guò)程。在加壓的同時(shí)，流過(guò)較大的充電電流，接著是比較長(zhǎng)時(shí)間緩慢減小的吸收電流，后達(dá)到比較平穩(wěn)的電導(dǎo)電流。被測(cè)電阻值越高，達(dá)到平衡的時(shí)間則越長(zhǎng)。因此，測(cè)量時(shí)為了正確讀取被測(cè)電阻值，應(yīng)在穩(wěn)定后讀取數(shù)值或取加壓1分鐘后的讀數(shù)值。

另外，高絕緣材料的電阻值還與其帶電的歷史有關(guān)。為準(zhǔn)確評(píng)價(jià)材料的靜電性能，在對(duì)材料進(jìn)行電阻(率)測(cè)試時(shí)，應(yīng)首先對(duì)其進(jìn)行消電處理，并靜置一定的時(shí)間，靜置時(shí)間可取5分鐘，然后，再按測(cè)量程序測(cè)試。一般而言，對(duì)一種材料的測(cè)試，至少應(yīng)隨機(jī)抽取3～5個(gè)試樣進(jìn)行測(cè)試，以其平均值作為測(cè)試結(jié)果。

4、測(cè)試設(shè)備的泄漏

在測(cè)試中，線路中絕緣電阻不高的連線，往往會(huì)不適當(dāng)?shù)嘏c被測(cè)試樣、取樣電阻等并聯(lián)，對(duì)測(cè)量結(jié)果可能帶來(lái)較大的影響。為此：

為減小測(cè)量誤差，應(yīng)采用保護(hù)技術(shù)，在漏電流大的線路上安裝保護(hù)導(dǎo)體，以基本消除雜散電流對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；采用聚乙烯、聚四氟乙烯等絕緣材料制作測(cè)試臺(tái)和支撐體，以避免由于該類原因?qū)е聹y(cè)試值偏低。

高電壓線由于表面電離，對(duì)地有一定泄漏，所以盡量采用高絕緣、大線徑的高壓導(dǎo)線作為高壓輸出線并盡量縮短連線，減少，杜絕電暈放電；

5、外界干擾

高絕緣材料加上直流電壓后，通過(guò)試樣的電流是很微小的，極易受到外界干擾的影響，造成較大的測(cè)試誤差。熱電勢(shì)、接觸電勢(shì)一般很小，可以忽略；電解電勢(shì)主要是潮濕試樣與不同金屬接觸產(chǎn)生的，大約只有20mV，況且在靜電測(cè)試中均要求相對(duì)濕度較低，在干燥環(huán)境中測(cè)試時(shí)，可以消除電解電勢(shì)。因此，外界干擾主要是雜散電流的耦合或靜電感應(yīng)產(chǎn)生的電勢(shì)。在測(cè)試電流小于10-10A或測(cè)量電阻超過(guò)1011歐姆時(shí)；被測(cè)試樣、測(cè)試電極和測(cè)試系統(tǒng)均應(yīng)采取嚴(yán)格的屏蔽措施，消除外界干擾帶來(lái)的影響。